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　　基于 TEGRION硬件，OPTIGA Authenticate NBT支持非接场景下848 Kbit/s的传输速率，其I2C接口则可以支持1 Mbits/s的传输速率，为需求高性能数据传输的应用提供重要的助力支持。这款NFC I2C桥接标签提供 8 KB 的大容量内存，可有效满足客户和特定应用的多配置信息的储存。
瑞昱芯片排行　　TDK AVRH系列的两款新型压敏电阻均符合汽车级AEC-Q200标准，且在静电放电试验中均达到了IEC 61000-4-2标准项下的25 kV抗扰要求。两款产品的工作温度范围为-55 °C到+150 °C，不仅满足耐静电放电要求，并且将空间需求降到了，顺应汽车原始设备制造商（OME）的小型化趋势。
　这些商品是用于以 TWS 和智能手表为代表的要求超小型、高性能的可穿戴终端等的电源电路用扼流 圈 的 功 率 电 感 器 。“LSCND1006HKT2R2MF” 与 本 公 司 以 往 产 品 “LSCNB1608HKT2R2MD” （1.6×0.8×0.8mm）相比，体积减小了约 5 成，有助于设备的小型化等。

　　Pasternack 新型负斜率均衡器性能优良，具有高可靠性、低驻波比和出色线性度。它们提供0.5dB到1.2dB的低插入损耗和宽倍频带宽覆盖1GHz到26.5GHz。
　　严格的阈值电压VGS(th)规格使这些MOSFET分立器件在并联时能够提供平衡的载流性能。此外，较低的体二极管正向电压(VSD)有助于提高器件稳健性和效率，同时还能放宽对续流操作的死区时间要求。
瑞昱芯片排行　　在工业智能化的浪潮下，物流、工程机械、汽车测试等行业亟需更灵活、稳定、高效的CAN解决方案。CAN网桥凭借卓越的网络安全性、简易的安装维护、广泛的兼容性和强大的互操作性，已成为扩展通信距离、增加网络节点、数据中继及存储转发任务的解决方案。
三星凭借其创新的Galaxy AI技术，正式迈入了移动AI的新时代。Galaxy AI，作为三星智能生态系统中的核心组成部分，为用户带来了前所未有的个性化与智能化体验。这一里程碑式的进步不仅仅是一个技术上的突破，更是对未来移动生活方式的重新定义。
　　R&S SMB100B微波信号发生器的信号纯度极高，具有极低的单边带 (SSB) 相位噪声、出色的非谐波抑制能力以及适用于所有载波频率的低宽带噪声。对于希望获得更好的近端相位噪声和频率稳定性以及更小的温度性能变化的用户，除标准 OXCO参考振荡器外，还提供适用于所有频率范围的更高性能版本。

　　平衡成本考虑因素并降低设计复杂性：针对GaN和SiC器件，简化设计并促进实现易于设计、成本优化、高功率、高频开关电源转换。
瑞昱芯片排行TMR4101磁栅传感器芯片与磁极距为0.4mm的多对极磁栅配套使用。当芯片沿着磁栅的长度方向移动时，其内置的两个推挽式TMR半桥结构分别输出相位差为90°的正弦和余弦信号，信号的周期与相邻的一对南北磁极的总长度0.8mm相对应。基于TMR技术优异的高灵敏度和低噪声特性，TMR4101的正弦和余弦输出信号可通过模拟前端调理电路和数字信号解算完成对微位移的精准测量，在典型应用场景中可达到微米级的重复定位精度。
　　在创新和技术领域再次迈出一大步，ITECH的 IT6600直流电源系列系列重新定义了高功率密度的概念。这一系列在仅占用3U机架空间的紧凑设计中，提供了高达42kW的功率输出，进一步提高了功率密度，显著节省了实验室空间，同时极大地提升了工程师的工作便利性和效率。IT6600系列不仅满足了高功率测试的需求，而且在操作便捷性方面也做到了优化，尤其适合那些对空间效率有高要求的集成系统环境。
　　全新CoolSiC MOSFET 750 V G1产品系列在25°C时的RDS(on)为8至140 mΩ，可满足广泛的需求。其在设计上具有较低的传导和开关损耗，大幅提升了整体系统效率。创新的封装更大程度地减少了热阻、帮助改善散热并优化电路内功率环路电感，在实现高功率密度的同时降低了系统成本。值得一提的是，该产品系列采用了先进的QDPAK顶部冷却封装。