renesas芯片

根据 ISO 26262 标准开发的 HAR 3920 符合 ASIL C 级要求，适合集成到 ASIL D 级的汽车安全相关系统中。此传感器适用于油门踏板位置或节流阀位置测量，或非接触式电位器等应用场景。**计划于 2024 年 4 月投产；样品现在可应要求提供。
renesas芯片　　今天推出的新产品「S-82K5B/M5B系列」是3节~5节串联用二次保护用IC、具有以下特点：（1）搭载级联功能（通过连接多个IC，能够保护比一个保护IC所能应对的电池数量更多的电池的功能）、通过比以往大幅度减少的部件结构，实现了6节串联以上的二次电池的电压监视；（2）搭载了IC之间通信的开路检测电路(※1)，可进行更安全的电压监视；（3）备有过充电检测电压精度±20mV的S-82K5B系列和实现业界水准(※2)高精度±15mV的S-82M5B系列的2个系列的产品阵容，可以灵活应对客户的需求。
　　其中，三星Galaxy Z Fold6传承Galaxy Z Fold系列强大的生产力基因，通过深度融合前沿AI技术和创新的端侧AI应用，将移动生产力提升到了新高度。同时，Galaxy Z Fold6更是三星对于未来高效移动生产力愿景的进一步体现，标志着Galaxy AI手机新阶段的到来。

　　基于高通SA522M芯片组，Rolling Wireless的RN93xx系列模块为汽车应用带来了多项增强功能。RN93xx模块不仅仅是5G调制解调器，它们还提供了一个灵活的、基于Linux的NAD软件平台。客户可以在现成的Rolling Wireless核心服务、高通的车载信息控制单元应用框架（TelAF）或自定义应用框架上构建他们的车载信息控制单元。
多功能新型30V n沟道TrenchFET第五代功率MOSFET—SiSD5300DN，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源极倒装技术3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-F封装，10V栅极电压条件下导通电阻仅为0.71 mW，导通电阻与栅极电荷乘积，即开关应用中MOSFET关键的优值系数（FOM）为42 mW*nC，达到业内先进水平。
renesas芯片V20黑武士，内部搭载英飞凌全新光学模块。相较于传统扫拖机器人100MM的机身身高，V20机身整体设计只有82MM，可以通过更低矮、更狭小的空间。同时V20拥有强大的可靠性，将成为智能家居生活的强大助手。
此外，三菱电机拥有覆盖宽容量逆变器的全面功率模块阵容，有助于延长EV和PHEV的续航里程和降低电力成本，从而为汽车电动化的进一步普及做出贡献。
　　物联网设备的数量正在迅速增加并应用到各行各业之中。随着智能设备数量上涨，用户对设备配置和配对等操作所应具有的简易性之要求也一并提高。为此，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了OPTIGA Authenticate NBT产品。

　　SMART RDIMM 内存模块采用Conformal Coating表面涂层技术，为浸没式液冷伺服器的内存模块提供强化保护，大幅提升数据中心应用的可靠性并降低成本。
renesas芯片　　为提高功率密度，该MOSFET 在4.5 V条件下导通电阻典型值降至18.5 mW，达到业内先进水平。比相同封装尺寸接近的竞品器件低16 %。SiZF4800LDT低导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET功率转换应用重要优值系数（FOM）为 131mW*nC，导通电阻与栅极电荷乘积提高了高频开关应用的效率。
　　集成式12 V LDO（耐压42 V）无需外部电源，可直接通过12 V铅酸电池为设备供电。集成式收发器可与LIN总线直接通信。该产品符合ISO26262 ASIL-C 功能安全要求。
　　凭借外部FET选项和性可编程（OTP）选项，XDP700-002能提供灵活的故障和警告检测编程，以及用于各种使用模式的抗尖峰脉冲水平。其模拟辅助数字模式可向后兼容传统模拟热插拔控制器。XDP700-002稳健的功能和适应性充分体现了英飞凌在电信基础设施创新和系统可靠性方面的持续投入。