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  CMS M多级迷你真空发生器是COVAL研究的成果,旨在为在恶劣工业环境中处理多孔零件、排空罐体或随机抓取等应用提供强大而耐用的解决方案。由于其超紧凑的设计和优化的多级Venturi系统,这些发生器可保证高达550 Nl/min的强力吸气流量,同时在紧凑的空间内减少压缩空气消耗。
infineon  X系列机型在其全桥式LLC拓朴设计中,采用了英飞凌主动式桥式整流解决方案与全面性的电源产品组合,包括:PWM IC、涵盖硅 (Si) 和碳化硅 (SiC) 的分立式功率器件以及创新的SMD封装产品。通过英飞凌完整的解决方案,利用不同组件的特性,提供更佳的设计能力,有助于达成高功率、高效率的设计。
在 AI 的训练、调优及推理阶段,采用先进的内存技术,并同时确保高性能和高效率,对于支持不断增长的 AI 工作负载至关重要。我们致力于提供性能、低功耗的解决方案,并计划通过与美光的合作,在我们的 AI 产品组合中全面采用单块高密度 DRAM,帮助企业客户获得性能,应对各种工作负载。
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  此次,三菱电机将推出配备SiC-MOSFET或RC-IGBT(Si)的J3系列紧凑型模块,作为在汽车市场得到广泛应用的T-PM的一代产品,这两种模块使用相同的封装,使xEV驱动电机逆变器能够进一步缩小尺寸。
  SC538HGS作为基于BSI结构设计融合近红外增强技术的工业面阵全局快门CMOS图像传感器,真正实现了可见光与近红外光下的超高感度。SC538HGS在520nm可见光波段下的峰值量子效率高达92.3%,较市场同规格竞品提升约17.3%,并且,其在850nm与940nm近红外波段下的峰值量子效率分别较前代产品提升约17.5%与8.6%。整体感度的大幅提升,让SC538HGS能够轻松应对可见光与近红外光下的各种复杂光线挑战。
infineon  依托独特的DIP-5封装设计,NSM2311实现了6.9mm的爬电距离,确保了出色的电气隔离效果,同时满足UL标准的5000Vrms 的耐受隔离耐压,显示出强大的耐压能力。此外,1358Vdc的基本绝缘工作电压、672Vdc的加强绝缘工作电压能力,进一步强化了NSM2311在高电压环境下的稳定性和安全性。
  AT32A423系列搭载ARMCortex-M4内核,主频高达150MHz,内建单精度浮点运算FPU,带MPU和DSP指令集,提高数据处理效率;高达256KB Flash和48KB SRAM,提供多容量存储空间,便于添加开发新功能,成为新能源车用电子产品中优化设备的理想选择,广泛用于行车记录仪、车用影音、ADAS辅助驾驶、360全景、汽车中控、脚踢尾门控制、充电桩等各式车用场景。
  HAL/HAR 3936 提供作为单芯片设备的 SOIC8 SMD 封装和用于双芯片版本的 SSOP16 SMD 封装,为要求苛刻的 3D 位置传感应用场景提供了可靠且多功能的解决方案。
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这两种购买选项都适用于基于现成组件开发可持续系统设计的原始设备制造商 (OEM)。模块化 COTS 配置主要面向小型工业产品系列的 OEM、系统集成商和增值经销商 (VAR)。该解决方案的可持续之处在于,当性能和功能要求发生变化时,只需更换模块,而无需更换整个嵌入式硬件。
infineon  BC68R2123工作电压为2.2V~3.6V;MCU具有1K×14 OTP Memory、64×8 RAM、2组Timer等系统资源。RF发射功率达+13dBm,射频特性符合ETSI/FCC规范,支持OOK/FSK调制,传输速率0.5kbps~50kbps。采用16NSOP-EP封装,具备9个GPIO。
  如今,企业面临更严峻的数据安全隐患,层出不穷的勒索病毒、无法及时预警的硬件故障、难以管控的人员操作等,而从源头提前为数据实现多维度以及多重的备份保护,可以更有效抵御不同的潜在威胁。
双层铝基板结构、传导冷却功率磁体和高效零电压开关(ZVS)拓扑结合在一起,确保了产品的高水平的效率和优异的热性能。因此,在对流冷却情况下功率可高达300W,传导冷却情况下可达到400W,从而实现密封环境下的运行、静音运行和高可靠性。

分类: 飞兆芯片