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　　CoolSiC MOSFET 2000 V产品系列适用于1500 VDC 的高直流母线系统。与 1700 V SiC MOSFET相比，这些器件还能为1500 VDC系统的过压提供更高的裕量。CoolSiC MOSFET的基准栅极阈值电压为4.5 V，并且配备了坚固的体二极管来实现硬换向。凭借.XT 连接技术，这些器件可提供一流的散热性能，以及高防潮性。
avago　　通过采用更先进的印刷电路板(PCB)和环氧树脂模塑料(EMC)[2]工艺，新一代LPDDR DRAM的封装厚度仅0.65毫米(mm)，薄如指甲，超过之前所有12GB及以上容量的LPDDR DRAM。此外，三星优化了背面研磨工艺[3]，进一步压缩了封装厚度。
　　ECC608 TrustMANAGER 通过 keySTREAM 在现场管理和更新安全证书，而不是局限于在制造过程中实施的静态证书链，有助于在终端准确配置定制加密证书，而无需供应链定制，并可由终端用户进行管理。keySTREAM提供器件到云的解决方案，可在产品的整个生命周期内确保物联网生态系统中关键资产的端到端安全。

此外，三菱电机拥有覆盖宽容量逆变器的全面功率模块阵容，有助于延长EV和PHEV的续航里程和降低电力成本，从而为汽车电动化的进一步普及做出贡献。
　　HL8518芯片内部集成了功率FET，可以控制并限制流经其内部功率管的电流，电流限制阈值可以采用一个从ILIM引脚到地的外部电阻器来设置。内部电荷泵有助于实现高效的栅极控制，该芯片典型Rds(on)值为80mΩ。
avago　　Bourns 通过四种 DIN 导轨安装设备系列为交流或直流电源轨提供 IEC 级电涌保护。
　　1270 系列交流电涌保护器符合 IEC/EN 61643-11 I 级 + II 级 / T1+T2 标准
　　1280 系列也是一样，但增加了一个热断路器，“从而无需上游过流保护”，Bourns 说道。
　　1430 系列直流电涌保护器符合 IEC/EN 61643-31 I 级 + II 级 / T1+T2 标准
　　1440系列：同样的，加上一个热断路器“有助于消除对上游过流保护的需求”，Bourns说。
　　所有产品均基于 MOV，并提供故障指示窗口和远程警报输出。
　　BridgeSwitch-2器件通过内置的相电流(IPH)信息实时报告功能，可实现的电机控制。它们提供错误标志或全面的故障母线报告功能选项，支持故障预测等功能。
为满足日益增长的市场需求，纳芯微集成式电流传感器NSM2311采用先进的集成技术和设计，不仅解决了传统开环电流传感器模组的缺点，还在性能和功能上进行了全面升级。

　　随着电子货币支付的普及，支付终端和物流移动标签打印机的需求不断增长。在移动标签打印机和支付终端领域，2芯锂离子电池驱动的热敏打印机因出色的打印速度和质量成为主流。然而，为追求更小巧、轻便和节能的设备，单节锂离子电池驱动器的使用逐渐成为趋势，但其存在的打印速度慢和电池寿命短的问题限制了其广泛应用。
avago　　智能制造应用产品系列：凌华智能的AI 边缘服务器 MEC-AI7400 (AI Edge Server )专为智能制造设计，驱动AI革新数字转型，提升生产灵活性和应变能力。
　　Cortex-M33可将静态功率降低至36微瓦，适用于需要延长电池使用时间的应用。Cortex-A35是Cortex-A7的升级版，从32位到64位，性能提升了40%，主运行负载仅为1.62W。NXP i.MX 8ULP设备还提供3D/2D GPU和4-lane MIPI DSI并行显示接口，以满足工业HMI图形需求。此外，该方案提供UART、GPIO、I2C、FlexCAN和快速以太网接口支持边缘数据收集、控制和传输。
「尽管这两款处理器已被多位客户授权并经过量产芯片的验证，我们仍然很高兴看到它们在晶心自家的芯片上首次运行。采用台积电先进的7纳米制程技术制造，QiLai系统芯片和其Voyager开发板充分展现了晶心为支持快速RISC-V软件开发的承诺。