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　　此外，Nexperia的“薄型SiC”技术提供了更薄的衬底（为其原始厚度的三分之一），大大降低了从结到背面金属的热阻。由此带来了诸多好处，包括工作温度更低、可靠性更高、设备寿命更长、抗浪涌电流的能力更强、正向压降更低。
rohm32107　　用户现在可申请 CGD 新型 P2 系列 ICeGaN 功率 IC 样品。该系列包括四款 RDS(on)产品为25 mΩ和55 mΩ，额定电流为60 A和27 A的产品。产品采用10 mm x 10 mm封装 DHDFN-9-1和 BHDFN-9-1（底部散热器DFN）封装。与所有CGD ICeGaN产品一样，P2系列可以使用任何标准 MOSFET 或 IGBT 驱动器进行驱动。
　　ICeGaN 功率 IC 集成了米勒箝位以消除高速开关过程中的击穿损耗，并实现了0V关断从而限度地减少反向导通损耗，其性能优于分立 eMode GaN 和其他现有技术。新的封装提供了低至0.28 K/W的改进的热阻性能，与市场上任何其他产品比较具有相当或更加优异的性能。

　　嵌入式安全被认为是物联网（IoT）应用部署的一个重要属性。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布，其新型PSOC? Edge E8x MCU产品系列的设计达到嵌入式安全框架——平台安全架构（PSA Certified）计划中的级别。为了满足PSA 4级的要求，所有PSOC? Edge E8x微控制器均采用具有安全启动、密钥存储和加密操作功能的片上硬件隔离飞地。
　　传统半桥驱动在电机启动的过程中会产生较高的电流，从而引起电路抖动，并影响整个系统的稳定性和可靠性。SC77708Q 采用电流截断的方法限制电流，工程师可通过自由配置 DAC 实现不同的截断电流阈值，让系统设计更灵活可靠。
rohm32107　　OCP9225AH还具有一个默认版本，将R1空贴，R2改为0欧姆，即可使用默认OVP功能。OCP9225AH默认OVP为6.8V，使用默认OVP，可减少外围器件，达到减小成本的目的。
　　近年来随着信息时代的发展，工业设备、汽车、电子产品呈现智能化、共享化、高度集成化的发展趋势，对芯片性能、适配性、可靠性、安全性等方面提出了更高要求。
　　BHDFN-9-1（底部散热器 DFN）是一种底部冷却式组件，同样采用侧边可湿焊盘技术，便于光学检查。其热阻为0.28 K/W，比肩或优于其他领先设备。BHDFN的外形尺寸为10×10 mm，虽然比常用的 TOLL 封装更小，但具有相似封装布局，因此也可以使用 TOLL 封装的 GaN 功率 IC 进行通用布局，便于使用和评估。

牙模块CYW20822-P4TAI040，在低功耗与覆盖范围等方面实现了新的突破，推动物联网和消费电子领域的无线连接技术进一步发展。该模块相比同类产品有更高的性价比，通过支持蓝牙低功耗长距离传输（LE-LR）增强了性能，具有出色的可靠性，能够无缝集成且支持各种应用。英飞凌的CYW20822-P4TAI040蓝牙模块集低功耗和高性能于一身，可支持包括工业物联网应用、智能家居、资产追踪、信标和传感器、以及医疗设备在内的所有蓝牙LE-LR应用场景。
rohm32107H4010 采用高端电流模式的环路控制原理，实现了快速的动态响应。 H4010 工作开关频率为 170kHz，具有良好的 EMI 特性。H4010采用ESOP-8 封装，芯片底部设计有功率散热焊盘与SW管脚连接，可以有效的帮助芯片散热。
　　GDDR 是 JEDEC（联合电子设备工程委员会）制定的图形 D-RAM 标准规格。该内存专门用于快速图形处理。GDDR 已更新至 3、5、5X、6 和 7 代，一代具有更高的速度和更高的功率效率。近，它作为可用于图形以外的 AI 领域的高性能内存而备受关注。
　　59177系列的主要优势之一，是能够在不消耗任何功率的情况下运行，因此非常适合低功耗应用。 该功能可以节省能源，并提高电池供电设备的整体效率。 此外，开关的包覆成型设计确保了出色的抗机械冲击和抗振动性能，为设计人员提供了更大的灵活性，以满足具有机械挑战性的应用需求。