瑞昱半导体

　　紫光展锐推出高性价比芯片平台UNISOC 7861及其解决方案，该芯片平台基于12nm制程，具有的性能和成熟度，采用双高性能大核ArmCortex-A75@1.6GHz和六个能效内核Cortex?-A55@1.6GHz的八核架构，带动智能支付产品跨越全小核芯片时代，真正支持未来长周期Android生态演进。UNISOC 7861支持Wi-Fi 5（双频Wi-Fi）/蓝牙5.0/GNSS、USB Hub、UFS2.2/eMMC5.1/LPDDR4x存储接口等主流规格，通信方面支持LTE Cat.7和L+LDSDS, 多媒体方面支持FHD+显示输出、三路视频流同步输入以及1080P编解码能力等。
瑞昱半导体　　纳微半导体发布的4.5kW高功率密度AI服务器电源参考设计，基于CRPS185外形尺寸，其采用了额定650V、40mΩ的GeneSiC G3F FETs，用于交错CCM TP PFC拓扑上。与LLC级的GaNSafe?氮化镓功率芯片一起，让这款电源实现了138 W/inch的功率密度和超过97%的峰值效率，轻松达到欧盟目前强制执行的“钛金+”效率标准。
　　作为一款64位商业级RISC-V处理器内核，Dubhe-70采用9+级流水线、三发射、超标量、乱序执行设计，支持丰富的RISC-V指令集——RV64GCBH。Dubhe-70 SPECint2006 7.2/GHz，性能对标Arm Cortex-A72/A510。

　　据该公司称，其第八代产品“这些设备结合了 600V CoolMOS 7 系列的功能，是 P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7 产品系列的继任者”。“它们配备了一个集成的快速体二极管，并采用 SMD QDPAK、TOLL 和 ThinTOLL 8 x 8 封装。”
TDK 将以开发新产品固态电池为目标，努力开发电池芯和封装结构设计，并向量产迈进。此外，TDK 还将运用在电子元件业务中积累的生产工程技术，通过积层层压技术提高电池容量，并扩大其工作温度范围。
瑞昱半导体全新的英特尔至强6平台及处理器家族专为应对这些挑战所设计，其中，能效核处理器专门针对高核心密度和规模扩展任务所需的高效能优化，而性能核处理器则面向计算密集型和AI工作负载所需的高性能进行优化，两者架构兼容，共享软件栈和开放的软、硬件供应商生态。
　　ROM-2860采用超紧凑OSM Size-L尺寸（45 x 45 mm），在同尺寸核心板中以其出色的性能脱颖而出。搭载6.9W TDP的高通八核QCS6490处理器，其性能优于传统的核心模块，并以其微小体积满足如HMI和嵌入式机器视觉等各种工业和便携式应用。值得注意的是，QCS6490的性能比中端x86处理器高出近20%，同时功耗显着降低43-75%。
　　HIPS（高抗冲聚苯乙烯）可溶于柠檬烯，用于支撑 ABS，以及打印轻质物体。
　　TPE（热塑性弹性体），比此例中的 TPU 更有弹性（肖氏硬度 83A），高度耐用且抗疲劳，工作温度范围为 -30 至 140°C。
　　ASA 是一种抗紫外线的 ABS 替代品，其抗冲击性和耐热性几乎与 ABS 相同。适合户外应用，打印时气味较小。

　　新型适配器的主要特点延伸到其低VSWR，有助于高效准确的能量传输，同时减少信号损耗，从而实现卓越的连接标准。此外，Pasternack适配器具有阻抗均衡功能，可限度地减少信号反射和提高功率传输。
瑞昱半导体　　根据 Satechi 的说法，多端口适配器提供的显示选项包括 8K/30Hz、4K/120Hz、2K/144Hz 和 1080p/240Hz。其中三个 USB-C 数据端口支持高达 10Gb/s 的 USB 3.2 Gen 2 传输速度，而一个则提供 5Gb/s。
　　新型热敏电阻符合AEC-Q200标准，具有自我保护功能，无过热危险，主要用于各种过载保护，包括AC/DC和DC/DC转换器、抛负载、DC-Link、电池管理、紧急放电电路、车载充电器、家庭储能系统、电机驱动以及焊接设备。元件可承受至少10万次浪涌循环，以及在25 kW功率条件下（不触发跳变）具备高度迅速的恢复能力。
　　Kioxia率先推出UFS技术(5)，并不断开发新产品。 的UFS Ver. 4.0器件在JEDEC标准封装中集成了公司创新的BiCS FLASH? 3D闪存和控制器。UFS 4.0整合了MIPI M-PHY 5.0和UniPro 2.0，支持每通道高达23.2Gbps或每器件46.4Gbps的理论接口速度。UFS 4.0向下兼容UFS 3.1。